解决方案
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光伏行业应用案例

单晶炉是一种在惰性气体环境中,用石墨加热器将多晶硅等多晶材料熔化,用直拉法生长无错位单晶的设备。拉晶过程是前道工艺的重要环节,影响着硅片的纯度和质量。由于工艺生产环节的特殊复杂性以及高标准要求,对于单晶炉的控制设备的稳定性、可靠性要求更苛刻

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单晶炉的生产工艺可归纳为:加料→熔化→缩颈生长→放肩生长→等径生长→尾部生长

(1) 加料:将多晶硅原料及杂质放入坩埚内,杂质的种类依电阻的N或P型而定。

(2) 熔化:将多晶硅原料置于石英埚内后,长晶炉必须关闭并抽成真空,后充入高纯稀有气体使之维持在一定压力范围内,然后打开石墨加热器电源,加热至熔化温度,将多晶硅原料熔化。

(3) 缩颈生长:当硅熔体的温度稳定之后,将籽晶慢慢浸入硅熔体中。当籽晶与硅熔体场接触时,会使籽晶产生位错,然后再将籽晶快速向上提升,使长出的籽晶的直径缩小到一定大小(4-6mm),当位错线与生长轴成一个交角,便能长出晶体表面,产生零位错的晶体。

(4) 放肩生长:长完细颈之后,须降低温度与拉速,使晶体的直径渐渐增大到所需的大小。

(5) 等径生长:长完细颈和肩部之后,通过拉速与温度的不断调整,使晶棒直径维持在正负2mm之间。

(6) 尾部生长:为了避免效应力将使得晶棒出现位错与滑移线,而将晶棒的直径慢慢缩小,直到成一尖点而与液面分开。

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在整个单晶炉的控制系统中,各个环节的要求极高:

1、整个控制系统在石英坩埚外附近,长期处于50℃-60℃的高温度环境。

2、由于生产工艺的特殊性,现场存在较强的磁场效应。

3、生产环节对炉膛内温度和压力必须准确,否则该批物料将会报废。

4、拉晶提升过程中,各个传感器的数据传输必须高速、对电机驱动定位必须精准。

5、根据客户投料量,晶棒拉晶生产周期约为15天,在生产环节中控制系统必须稳定,不能出现任何异常。

因此,单晶炉的生产环节对控制系统和远程IO系统有着更高要求。

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零点的软协议栈耦合器CN-8032-L经过单晶炉厂商长期严格测试,完全符合现场生产使用,目前已大批量投入现场使用。现场的控制系统选择的是西门子1500PLC搭配着两套零点的分布式IO产品CN-8032-L以及子模块。
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CN-8032-L作为PN通讯模块,是零点公司运用软协议栈替代PN专用芯片的产品,响应时间在2-3ms,能在-40℃到80℃的场景下长期稳定工作。

CT-121F是数字量输入模块,在该系统中,主要传输定位,各电机状态等信号。

CT-222F是数字量输出模块,在该系统中,用于控制变频器,电机,伺服的驱动。

CT-3238是模拟量输入模块,在该控制系统中,主要用于测量炉膛压力,电流大小等信号。

CT-3168是电压输入模块,在控制系统中,主要接收电压型模拟量输入信号。

CT-3808是热电偶温度采集模块,在系统中,主要测量炉膛各部位的温度大小。

CT-4234是模拟量输出模块,在系统中,主要控制阀门开度等信号。

CT-5801是终端模块,作用是增强分布式IO从站背板通讯的稳定性。

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